EL817光耦一般用于开关电路
光电耦合组件是以光作为媒介来传输信号的一种组件，主要功能是让输入及输出电路之间，可以通过隔离的方式传送电信号，光电耦合组件(英语：Optical coupler，或英语：Photocoupler)，亦称光耦合器、光隔离器以及光电隔离器，简称光耦。在两个不共地的电路之间传送信号，即使两电路之间有高压也不会互相影响，提高其抗干扰能力和可靠度及稳定性，可用于开关设备，或用在两个需要隔离装置之间的数据传输。
1. 光耦EL817电气特性
1.1 电流传输比(Current Transfer Ratio , CTR)
电流传输比(CTR)的定义为输出电流和输入电流的比值Ic/If的百分比，主要用来评估负载电阻值的选用，量测方式如图 1 所示。
1.2 电压准位
在数字逻辑中，可以用 0 或 1 来表示所有的讯号，𝑉𝑂H和𝑉𝑂𝐿 在提供接收端 1 和 0 的电压值，𝑉IH和𝑉IL 则在限制接收端判断 1 和 0 的下限和上限电压值，如图 2 所示。
1.3 饱和电压VCE(set)
一般光耦的输出级为 Photo transistor，作为开关应用时，必须设计在饱和或截止区工作，当进入饱和区后，𝑉CE 两端的电压称为饱和电压(𝑉CE(set) )，如图 3 所示，在规格书中可以找到(𝑉CE(set)) )测试参数
2.光耦EL817输入端控制方式
2.1 GPIO(General-purpose input/output)控制
如图４所示，以 GPIO 控制输入端，GPIO 和 Vin 需为相同电压才能关闭。计算公式如下。
𝐼F = (𝑉𝑖𝑛 −𝑉F )/ 𝑅𝑖𝑛; 𝑅𝑖𝑛 = (𝑉𝑖𝑛 −𝑉F )/ IF
2.2 晶体管(BJT, bipolar junction transistor)驱动
如图５所示，以 GPIO 控制 NPN 晶体管开启或关闭，晶体管为电流控制组件，因此需要串接 RB 电阻控制IB 电流，以确保晶体管在截止和饱和区工作，计算公式如下。
𝐼 F = (𝑉𝑖𝑛 −𝑉F −𝑉CE )/𝑅𝑖𝑛 ; 𝑅𝑖𝑛 = (𝑉𝑖𝑛 −𝑉F −𝑉CE)/ IF
2.3 MOSFET(metal–oxide–semiconductor field-effect transistor)驱动
如图６所示，以 GPIO 控制 N-MOS 开启或关闭，MOSFET 为电压控制组件，一般会使用两电阻分压RG/(R1+RG)来控制 VGS 电压，当 VGS>Vth 时，即可开启 N-MOS，当达到(VDS>VGS-Vth)条件时，则会进入饱和区，以达到饱和开关功能，计算公式如下。
𝐼F = (𝑉𝑖𝑛 −𝑉F−𝑉D𝑆 ) /𝑅𝑖𝑛; 𝑅𝑖𝑛 = (𝑉𝑖𝑛 −𝑉F −𝑉D𝑆 )/IF
3.如何有效的设计EL817控制电路
一般光耦选型时，其基本电性最重要的是 CTR，它影响着实际量产时可能会产生的误差，图 7 为 EL817 的分 bin 表，此 CTR 的 Min.和 Max.范围是以 IF=5mA、VCE=5V 条件下测得，当实际电路所采用的条件不同时，其 CTR 范围也会跟着变动，因此应先行评估在产品应用时的实际 CTR 范围。
如图８左图所示，此 IF 电流设计大约 2mA，选择 EL817C 作为隔离组件，其 CTR 范围为200~400%，可利用图８右图的 CTR 曲线来评估 IF≒2mA 以及温度上升至 80℃时，电路是否还正常工作。
EL817C 在 IF=5mA 时，CTR%=200~400%，当 IF 下降至 2mA 时，其 CTR%=(200~400%)*0.75=150~300%，在 80℃时 CTR%＝(200~400%)*0.48=96%~192%。下面依照所计算后的CTR%，计算出适合的 RL 值。
当 IF=2mA, Ta=25℃时，Ic=2mＡ*(150~300%)=3~6mＡ，取最小值 3mA, RL=(5-0.2)/3=1.6KΩ。
当 IF=2mA, Ta=80℃时，Ic=2mA*(96~192%)=1.92~3.84mA，取最小值 1.92mA, RL=(5-0.2)/1.92=2.5KΩ。
计算出来的 RL 值，建议再乘上 1.5 倍左右，以延长光耦光衰后的使用寿命。
如图 9 所示，取一颗 CTR=192% @IF=5mA 规格的样品做实际测试，调整可变电阻(VR)将电流调整至 IF=2mA; Baud rate=4800bps; RL=1K, 2.2K, 3.3KΩ，观察输出波形。如图 10所示，当 RL=1KΩ时，Vce 电压约 2.5V，一般常见的逻辑０电压在 0.8V 以下，因此无法满足逻辑０的电压要求，当 RL=2.2K 和 3.3KΩ时，Vce 电压已小于 0.8V，虽然此两个电阻都适用，但此测试环境是在 Ta=25℃进行，如温度上升时，将使得 RL=2.2kΩ的电路因 CTR 下降而使得 Vce 电压上升，因此在设计初期应将 CTR 下限和温度以及寿命衰减一并考虑进去，以避免在大量生产或消费者使用一段时间后才发现异常。