Toshiba光耦TLP181GB可用EL357N(B)(TA)-G替换
4SOP贴片光耦EL357N(B)(TA)-G可替换TOSHIBA光耦TLP181BG，EL357N(B)(TA)-G电流转换倍率为130~260%，而Toshiba的TLP181BG为BG等级，CTR为100~600%，所以，EL357N(B)(TA)-G电流转换倍率范围更窄更方便设计使用；贴片光耦EL357N(B)(TA)-G和TLP181BL外型基本相同，TLP181BG尺寸为4.4*3.6*2.5mm，而EL357N(B)(TA)-G外型尺寸为4.4*4.1*2.0mm（本体2.0mm较薄），二者的PCB焊点尺寸&电路设计都一样，可直接PIN TO PIN替换
光耦EL357N-G使用额定最大范围
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项目
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符号
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最大范围
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单位
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|
输入端
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顺向电流
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IF
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50
|
mA
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峰值电流（1us脉冲）
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IFP
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1
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A
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反向电压
|
VR
|
6
|
V
|
|
功率消耗/功率降幅
|
Pd
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70
|
mW
|
|
2.9
|
mW/℃
|
|
输出端
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功率消耗/功率降幅
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Pc
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150
|
mW
|
|
3.7
|
mW/℃
|
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集电极电流
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Ic
|
50
|
mA
|
|
集电极-发射极电压
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Vceo
|
80
|
V
|
|
发射极-集电极电压
|
Veco
|
7
|
V
|
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总的功率消耗
|
Ptot
|
200
|
mW
|
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隔离电压
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Viso
|
3750
|
V
|
|
工作温度
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Topr
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-55~100
|
℃
|
|
储存温度
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Tstg
|
-55~125
|
℃
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焊锡温度
|
Tsol
|
260
|
℃
|
光耦EL357N-G输入端特性
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项目
|
符号
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最小值
|
平均值
|
最大值
|
单位
|
条件
|
|
顺向电压
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VF
|
---
|
1.2
|
1.4
|
V
|
IF=±20mA
|
|
反向电流
|
IR
|
---
|
--
|
10
|
uA
|
VR=4V
|
|
输入端电容
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Cin
|
---
|
30
|
250
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pF
|
V = 0, f = 1kHz
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光耦EL357N- VG输出端特性
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项目
|
符号
|
最小值
|
平均值
|
最大值
|
单位
|
条件
|
|
集电极与发射极暗电流
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Iceo
|
---
|
---
|
100
|
nA
|
VCE = 20V, IF = 0mA
|
|
集电极-发射极击穿电压
|
BVceo
|
80
|
--
|
---
|
V
|
IC = 0.1mA
|
|
发射极-集电极击穿电压
|
BVeco
|
7
|
---
|
---
|
V
|
IE = 0.01mA
|
光耦EL357N-G基本的转换特性
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品名型号
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图标符号
|
最小值
|
平均值
|
最大值
|
单位
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测试条件
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按CTR分
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EL357N
|
CTR
|
60
|
---
|
600
|
%
|
IF=5mA,Vce=5V
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|
EL357NA
|
80
|
|
160
|
|
EL357NB
|
130
|
|
260
|
|
EL357NC
|
200
|
|
400
|
|
EL357ND
|
300
|
|
600
|
|
EL357NE
|
100
|
|
200
|
|
EL817NF
|
150
|
---
|
300
|
|
集电极发射极饱和电压
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Vce(sat)
|
---
|
0.1
|
0.2
|
V
|
IF = ±20mA ,IC = 1mA
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隔离阻值
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Rio
|
5×1010
|
1011
|
---
|
Ω
|
VIO = 500Vdc,40~60% R.H.
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|
浮动电容
|
Cio
|
---
|
0.6
|
1.0
|
pF
|
VIO = 0, f = 1MHz
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|
上升时间
|
tr
|
---
|
3
|
18
|
us
|
VCE = 2V, IC = 2mA,RL = 100Ω
|
|
下降时间
|
tf
|
---
|
4
|
18
|
us
|
安规认证通过：UL(No.E214129)；VDE(No.132249)；CSA(No.1408633)；SEMKO(No.716108)；FIMKO(No.FI22807)；NEMKO(No.P06206474)；DEMKO(No.313924)
光耦丝印说明：
EL=Everlight的简写
R = CTR Rank (A or none)电流放大倍率，例如B表示CTR为130~260%
Y = Year(生产年份)：2017年用7表示
WW = Week(周期代号)例如第25周用25代号
V = VDE safety (optional).德国的VDE安规认证